锑化镓

熔点 980 °C(lit.)
密度 5.62 g/mL at 25 °C(lit.)
形态 pieces
水溶解性 Insoluble in water.
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熔点 ：980ºC(lit.)

分子式 ：GaH₂Sb

分子量 ：193.49900

精确质量 ：191.84500

储存条件 ：

常温密闭，阴凉通风干燥

稳定性 ：

常温常压下稳定

避免的物料 氧化物 酸 碱

锑化镓单晶的重要特征是无论用什么方法制备，室温下最高纯度的锑化镓单晶总是Ｐ型，其机理尚不完全清楚，一种主要观点认为是由过剩Ｓｂ空位造成的。它的价带自旋轨道的分裂可以得到空穴离化系数增大的能级，可改善长波长雪崩光电探测器（ＡＰＤ）的信噪比。由于ＧａＳｂ单晶的临界屈服应力较大（１５．８Ｎ／ｍｍ２），故其位错密度不高（不超过１０３数量级），适于制作ＧａＩｎＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ激光器、ＧａＩｎＡｓＳｂ探测器和ＧａＡｓ／ＧａＳｂ叠层太阳电池（转换效率超过３０％）。





计算化学 ：

1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无

2.氢键供体数量:0

3.氢键受体数量:0

4.可旋转化学键数量:0

5.互变异构体数量:无

6.拓扑分子极性表面积0

7.重原子数量:2

8.表面电荷:0

9.复杂度:10

10.同位素原子数量:0

11.确定原子立构中心数量:0

12.不确定原子立构中心数量:0

13.确定化学键立构中心数量:0

14.不确定化学键立构中心数量:0

15.共价键单元数量:1



更多 ：

1. 性状：类似锗的化合物型半导体，灰白色，立方晶系闪锌矿型结晶。

2. 密度（g/mL,25℃）：5.61

3. 相对蒸汽密度（g/mL,空气=1）：未确定

4. 熔点（℃）：706

5. 沸点（℃,常压）：未确定

6. 沸点（℃，1mmHg）：未确定

7. 折射率：未确定

8. 闪点（℃）：未确定

9. 比旋光度（º ）：未确定

10. 自燃点或引燃温度（℃）：未确定

11. 蒸气压（20℃）：未确定

12. 饱和蒸气压（kPa,60℃）：未确定

13. 燃烧热（KJ/mol）：未确定

14. 临界温度（℃）：未确定

15. 临界压力（KPa）：未确定

16. 油水（辛醇/水）分配系数的对数值：未确定

17. 爆炸上限（%,V/V）：未确定

18. 爆炸下限（%,V/V）：未确定

19. 溶解性：不溶于水

危险品标志 Xn,N
危险类别码 20/22-51/53
安全说明 61
危险品运输编号 UN 1549 6.1/PG 3
WGK Germany 2
TSCA Yes
HazardClass 6.1
PackingGroup III
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符号 ：GHS07, GHS09

信号词 ： Warning

危害声明 ：H302 + H332-H411

警示性声明 ：P273

个人防护装备 ： dust mask type N95 (US); Eyeshields; Gloves

危害码 (欧洲) ：Xn: Harmful; N: Dangerous for the environment;

风险声明 (欧洲) ：R20/22

安全声明 (欧洲) ：61

危险品运输编码 ：UN 1549 6.1/PG 3

包装等级 ：III

危险类别 ：6.1